一·單管爐 區(qū)熔爐 采用觸摸屏進(jìn)行操作  設(shè)備用途：

1. 提純金屬、半導(dǎo)體、有機(jī)和無機(jī)的化學(xué)材料；

2. 區(qū)熔致勻（使一種欲摻入的雜質(zhì)十分均勻地分布在整個(gè)單晶

體中）

3. 焊接和測量液體中的擴(kuò)散率等。

二·單管爐 區(qū)熔爐 采用觸摸屏進(jìn)行操作  設(shè)備優(yōu)點(diǎn)：

1·區(qū)熔加熱爐采用往復(fù)區(qū)熔的方式，閉環(huán)溫度控制，可靠的控制熔區(qū)的寬度問題；生長室的設(shè)計(jì)成功解決生長室的污染問題，

2·將加熱及保溫材料均設(shè)置在生長腔室外部，采用高純石英作為腔室，同時(shí)抽真空；將流動(dòng)高純氫氣通入腔室，去除腔室中的微量氧，解決氧化的問題；

3·開發(fā)高柔性的控制軟件，采用觸摸屏進(jìn)行操作，任意設(shè)置區(qū)熔的溫度，區(qū)熔的速度及次數(shù)。

三·主要技術(shù)參數(shù)

1.加熱溫度：     1100℃ 使用溫度：≤1000℃(主加熱采用紅外測溫）

2.設(shè)備功率：          10Kw±10%  三相380v 50Hz（三相五線制）

3.超高頻感應(yīng)電源功率：  6Kw±10%  單相220v 50Hz（三相五線制）

4.主加熱方式：        高頻感應(yīng)加熱

5.設(shè)計(jì)前配置輔助加熱：采用電阻加熱 加熱功率≤1kw 溫度范圍≤500℃，溫度可控可設(shè)定。
4.冷態(tài)極限真空度：   ≤5Pa

5·石墨舟尺寸：Ф50*400mm（內(nèi)徑*長度，半圓柱）（根據(jù)實(shí)際微調(diào)整）

6·石英管（腔室）尺寸：￠60*1000（根據(jù)實(shí)際加熱分布情況做調(diào)整）

7·加熱方式：        高頻感應(yīng)加熱

9·區(qū)熔熔區(qū)長度及速度：400mm  位移行程 ≥500mm

快速：50-200mm/min（伺服控制）可根據(jù)客戶需求設(shè)計(jì)

10.爐內(nèi)充氣壓力：    ≤0.03MPa（氬氣  氫氣）

11·充氣系統(tǒng)：      自動(dòng)充放氣（配置氫氣點(diǎn)火裝置）